1947年晶體管的發(fā)明；到1958年前后已研究成功一這種組件為基礎(chǔ)的混合組件；
1958年美國(guó)的杰克.基爾比發(fā)明了**個(gè)鍺集成電路。1960年3月基爾比所在的德州儀器公司宣布了**個(gè)集成電路產(chǎn)品，即多諧振蕩器的誕生，它可用作二進(jìn)制計(jì)數(shù)器、移位寄存器。它包括2個(gè)晶體管、4個(gè)二極管、6個(gè)電阻和4個(gè)電容，封裝在0.25英寸*0.12英寸的管殼內(nèi)，厚度為0.03英寸。這一發(fā)明具有劃時(shí)代的意義，它掀開了半導(dǎo)體科學(xué)與技術(shù)史上全新的篇章。
1960年宣布發(fā)明了能實(shí)際應(yīng)用的金屬氧化物—半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（metal-oxide-semiconductor field effect transistor，MOSFET）。
1962年生產(chǎn)出晶體管——晶體管邏輯電路和發(fā)射極耦合邏輯電路；由于MOS電路在高度集成和功耗方面的優(yōu)點(diǎn)，70年代，微電子技術(shù)進(jìn)入了MOS電路時(shí)代；隨著集成密度日益提高，集成電路正向集成系統(tǒng)發(fā)展，電路的設(shè)計(jì)也日益復(fù)雜、費(fèi)事和昂貴。實(shí)際上如果沒有計(jì)算機(jī)的輔助，較復(fù)雜的大規(guī)模集成電路的設(shè)計(jì)是不可能的。
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